NVATS4A101PZT4G
Číslo produktu výrobce:

NVATS4A101PZT4G

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

NVATS4A101PZT4G-DG

Popis:

MOSFET P-CHANNEL 30V 27A ATPAK
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 27A (Ta) 36W (Tc) Surface Mount ATPAK

Inventář:

12857230
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

NVATS4A101PZT4G Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
27A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
30mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.6V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
18.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
875 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
36W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
ATPAK
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
NVATS4

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

NTMFS4935NCT3G

MOSFET N-CH 30V 13A/93A 5DFN

onsemi

NTD3055L104-1G

MOSFET N-CH 60V 12A IPAK

onsemi

NTD20N06-1G

MOSFET N-CH 60V 20A IPAK

onsemi

NTD4865N-1G

MOSFET N-CH 25V 8.5A/44A IPAK