Číslo produktu výrobce:
NVB190N65S3F
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NVB190N65S3F-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 162W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
752 Ks Nový Originál Skladem
12939003
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NVB190N65S3F Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
SuperFET® III
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
20A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 430µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1605 pF @ 400 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
162W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
NVB190
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
488-NVB190N65S3FCT
NVB190N65S3F-DG
488-NVB190N65S3FDKR
488-NVB190N65S3FTR
2156-NVB190N65S3F-488
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
NVGS5120PT1G
MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
NP15P04SLG-E1-AY
MOSFET P-CH 40V 15A TO252
NP82N03PUG-E1-AY
MOSFET N-CH 30V 82A TO263
