Číslo produktu výrobce:
NVD5C668NLT4G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NVD5C668NLT4G-DG
Popis:
MOSFET N-CHANNEL 60V 49A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 49A (Tc) 44W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventář:
12857618
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
5JMs
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NVD5C668NLT4G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
49A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
8.9mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.7 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
44W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
DPAK
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
NVD5C668
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
NVD5C668NLT4GOSTR
NVD5C668NLT4GOSDKR
NVD5C668NLT4GOSCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
DMTH6010SK3Q-13
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2324
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMTH6010SK3Q-13-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.41
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
NVMFS5C468NLWFT1G
MOSFET N-CH 40V 5DFN
NVJS3151PT1G
MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88
RFD3055LESM9A
MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
