NVD5C668NLT4G
Číslo produktu výrobce:

NVD5C668NLT4G

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

NVD5C668NLT4G-DG

Popis:

MOSFET N-CHANNEL 60V 49A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 49A (Tc) 44W (Tc) Surface Mount DPAK

Inventář:

12857618
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

NVD5C668NLT4G Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
49A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
8.9mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.7 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
44W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
DPAK
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
NVD5C668

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
2,500
Další jména
NVD5C668NLT4GOSTR
NVD5C668NLT4GOSDKR
NVD5C668NLT4GOSCT

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
DMTH6010SK3Q-13
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2324
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMTH6010SK3Q-13-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.41
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

NVMFS5C468NLWFT1G

MOSFET N-CH 40V 5DFN

onsemi

NVJS3151PT1G

MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88

onsemi

RFD3055LESM9A

MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA

onsemi

NDS8425

MOSFET N-CH 20V 7.4A 8SOIC