Číslo produktu výrobce:
NVJD5121NT1G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
NVJD5121NT1G-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V 295mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Inventář:
4589 Ks Nový Originál Skladem
12858499
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NVJD5121NT1G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
-
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
295mA
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.9nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
26pF @ 20V
Výkon - Max
250mW
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Balíček zařízení dodavatele
SC-88/SC70-6/SOT-363
Základní číslo výrobku
NVJD5121
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
NVJD5121NT1G-DG
NVJD5121NT1GOSDKR
NVJD5121NT1GOSTR
NVJD5121NT1GOSCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
NVMFD5C672NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 12A/49A 8DFN
NTLGD3502NT2G
MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
NVMFD5C462NLT1G
MOSFET 2N-CH 40V 18A/84A 8DFN