Číslo produktu výrobce:
RFD4N06LSM9A
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
RFD4N06LSM9A-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 4A TO252AA
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 4A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventář:
12858200
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
RFD4N06LSM9A Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
600mOhm @ 1A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
VGS (Max)
±10V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
30W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252AA
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
RFD4N
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
2,500
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
NTR4501NT1G
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
NVMFS5C430NAFT1G
MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
NTD6415ANLT4G
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
