Číslo produktu výrobce:
SSH70N10A
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
SSH70N10A-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 70A TO3PN
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventář:
12860336
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
SSH70N10A Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
70A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
23mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
195 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4870 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
300W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-3PN
Balení / pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základní číslo výrobku
SSH70
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
30
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FQA70N10
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
66
DiGi ČÍSLO DÍLU
FQA70N10-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.23
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
2SK1317-E
VÝROBCE
Renesas Electronics Corporation
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5608
DiGi ČÍSLO DÍLU
2SK1317-E-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.29
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXTQ75N10P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTQ75N10P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.44
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
NTMFS08N2D5C
MOSFET N-CH 80V 166A POWER56
NTR3C21NZT3G
MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3
HAT2267H-EL-E
MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK
