Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
UP04112G0L
Product Overview
Výrobce:
Panasonic Electronic Components
Číslo dílu:
UP04112G0L-DG
Popis:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI5
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 80MHz 125mW Surface Mount SSMini6-F2
Inventář:
7975 Ks Nový Originál Skladem
12938982
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
UP04112G0L Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové pole, předbiasované
Výrobce
Panasonic
Balení
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ tranzistoru
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V
Rezistor - Báze (R1)
22kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
22kOhms
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
500nA
Frekvence - přechod
80MHz
Výkon - Max
125mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-563, SOT-666
Balíček zařízení dodavatele
SSMini6-F2
Základní číslo výrobku
UP0411
Technický list a dokumenty
Technické listy
UP04112G0L
HTML Datový list
UP04112G0L-DG
Další informace
Standardní balíček
8,000
Další jména
UP04112G0LDKR
UP04112G0LTR
UP04112G0LCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
RN2903FE(TE85L,F)
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3450
DiGi ČÍSLO DÍLU
RN2903FE(TE85L,F)-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.04
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
NSBA124XDXV6T1G
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
NSBA124XDXV6T1G-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.05
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
NSVMUN5332DW1T1G
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88
NSBC123JPDXV6T1
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
NSBA124EDXV6T5G
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
NSBC114EPDP6T5G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963