PJD1NA60A_R2_00001
Číslo produktu výrobce:

PJD1NA60A_R2_00001

Product Overview

Výrobce:

Panjit International Inc.

Číslo dílu:

PJD1NA60A_R2_00001-DG

Popis:

600V N-CHANNEL MOSFET
Podrobný popis:
N-Channel 600 V Surface Mount TO-252

Inventář:

12972191
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

PJD1NA60A_R2_00001 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
PANJIT
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
-
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
7.9Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
3.1 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
148 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
-
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
PJD1NA60

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
3757-PJD1NA60A_R2_00001TR
3757-PJD1NA60A_R2_00001CT
3757-PJD1NA60A_R2_00001DKR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
panjit

PJD13N10A_L2_00001

100V N-CHANNEL MOSFET

panjit

PJQ5412_R2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJL9438A_R2_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

vishay-siliconix

IRF540PBF-BE3

MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB