PJL9415_R2_00001
Číslo produktu výrobce:

PJL9415_R2_00001

Product Overview

Výrobce:

Panjit International Inc.

Číslo dílu:

PJL9415_R2_00001-DG

Popis:

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 12A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 8-SOP

Inventář:

2015 Ks Nový Originál Skladem
12974362
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

PJL9415_R2_00001 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
PANJIT
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
12A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
9.5mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3168 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.7W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SOP
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základní číslo výrobku
PJL9415

Další informace

Standardní balíček
2,500
Další jména
3757-PJL9415_R2_00001DKR
3757-PJL9415_R2_00001TR
3757-PJL9415_R2_00001CT

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
epc-space

EPC7014UBC

GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB

panjit

PJD3NA50_L2_00001

500V N-CHANNEL MOSFET

vishay-siliconix

SISS588DN-T1-GE3

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM10N954L,EFF

COMMON-DRAIN NCH MOSFET, 12V, 13