Číslo produktu výrobce:
PJQ1906_R1_00001
Product Overview
Výrobce:
Panjit International Inc.
Číslo dílu:
PJQ1906_R1_00001-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 300MA DFN-3L
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 300mA (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 3-DFN (1x0.6)
Inventář:
13001216
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
PJQ1906_R1_00001 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
PANJIT
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
300mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
1.2V, 4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
45 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
700mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
3-DFN (1x0.6)
Balení / pouzdro
3-UFDFN
Základní číslo výrobku
PJQ1906
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1
Další jména
3757-PJQ1906_R1_00001TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
18N20
N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
IPP033N04NF2SAKMA1
TRENCH PG-TO220-3
IXFN120N60X3
DISCRETE MOSFET 120A 600V X3 SOT
