PJQ2800_R1_00001
Číslo produktu výrobce:

PJQ2800_R1_00001

Product Overview

Výrobce:

Panjit International Inc.

Číslo dílu:

PJQ2800_R1_00001-DG

Popis:

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 6DFN
Podrobný popis:
Mosfet Array 20V 5.2A (Ta) 1.45W (Ta) Surface Mount DFN2020-6L

Inventář:

3000 Ks Nový Originál Skladem
12970404
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

PJQ2800_R1_00001 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
PANJIT
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
-
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5.2A (Ta)
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
32mOhm @ 5.2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
900mV @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.3nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
515pF @ 10V
Výkon - Max
1.45W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-VDFN Exposed Pad
Balíček zařízení dodavatele
DFN2020-6L
Základní číslo výrobku
PJQ2800

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
3757-PJQ2800_R1_00001CT
3757-PJQ2800_R1_00001TR
3757-PJQ2800_R1_00001DKR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

VEC2401-TL-E

NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES

vishay-siliconix

SQ4946AEY-T1_BE3

MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC

panjit

PJQ4848P-AU_R2_000A1

MOSFET 2N-CH 40V 9A/37A 8DFN

panjit

PJX8807_R1_00001

MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SOT563