Číslo produktu výrobce:
PJQ4442P_R2_00001
Product Overview
Výrobce:
Panjit International Inc.
Číslo dílu:
PJQ4442P_R2_00001-DG
Popis:
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 12.7A (Ta), 50A (Tc) 2W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount DFN3333-8
Inventář:
12970285
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
PJQ4442P_R2_00001 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
PANJIT
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
12.7A (Ta), 50A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
7.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1759 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2W (Ta), 45W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
DFN3333-8
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
PJQ4442
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
5,000
Další jména
3757-PJQ4442P_R2_00001TR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
AOB125A60L
MOSFET N-CH 600V 28A TO263
PJL9428_R2_00001
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
BUK9Y6R5-40HX
MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK56
