PJQ5423_R2_00001
Číslo produktu výrobce:

PJQ5423_R2_00001

Product Overview

Výrobce:

Panjit International Inc.

Číslo dílu:

PJQ5423_R2_00001-DG

Popis:

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 11A (Ta), 60A (Tc) 2W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount DFN5060-8

Inventář:

3008 Ks Nový Originál Skladem
12971095
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

PJQ5423_R2_00001 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
PANJIT
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
11A (Ta), 60A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
8.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3228 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2W (Ta), 63W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
DFN5060-8
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
PJQ5423

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
3757-PJQ5423_R2_00001TR
3757-PJQ5423_R2_00001DKR
3757-PJQ5423_R2_00001CT

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
vishay-siliconix

SUD50P10-43L-BE3

MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK

panjit

PJD1NA50_L2_00001

500V N-CHANNEL MOSFET

panjit

PJD7NA60_R2_00001

600V N-CHANNEL MOSFET

panjit

PJP2NA70_T0_00001

700V N-CHANNEL MOSFET