PJQ5542V-AU_R2_002A1
Číslo produktu výrobce:

PJQ5542V-AU_R2_002A1

Product Overview

Výrobce:

Panjit International Inc.

Číslo dílu:

PJQ5542V-AU_R2_002A1-DG

Popis:

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 24.8A (Ta), 136A (Tc) 3.3W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DFN5060-8

Inventář:

2980 Ks Nový Originál Skladem
13001146
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

PJQ5542V-AU_R2_002A1 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
PANJIT
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
24.8A (Ta), 136A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
7V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 50µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3050 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.3W (Ta), 100W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
DFN5060-8
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
PJQ5542

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
3757-PJQ5542V-AU_R2_002A1CT
3757-PJQ5542V-AU_R2_002A1DKR
3757-PJQ5542V-AU_R2_002A1TR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
panjit

PJQ5548-AU_R2_002A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

rohm-semi

R6086YNZ4C13

NCH 600V 86A, TO-247, POWER MOSF

transphorm

TP65H070LDG-TR

650 V 25 A GAN FET

vishay-siliconix

SIRS5800DP-T1-GE3

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE