Číslo produktu výrobce:
PJS6603_S2_00001
Product Overview
Výrobce:
Panjit International Inc.
Číslo dílu:
PJS6603_S2_00001-DG
Popis:
MOSFET N/P-CH 30V 4.4A SOT23-6
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 4.4A (Ta), 2.9A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
Inventář:
36918 Ks Nový Originál Skladem
12973296
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
PJS6603_S2_00001 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
PANJIT
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
N and P-Channel Complementary
Funkce FET
-
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4.4A (Ta), 2.9A (Ta)
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
48mOhm @ 4.4A, 10V, 110mOhm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.1V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.8nC @ 10V, 9.8nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
235pF @ 15V, 396pF @ 15V
Výkon - Max
1.25W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-23-6
Balíček zařízení dodavatele
SOT-23-6
Základní číslo výrobku
PJS6603
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
10,000
Další jména
3757-PJS6603_S2_00001TR
3757-PJS6603_S2_00001CT
3757-PJS6603_S2_00001DKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
NXH010P120MNF1PNG
SIC 2N-CH 1200V 114A
PJL9824_R2_00001
MOSFET 2N-CH 40V 13A 8SOP
PJT7812_R1_00001
MOSFET 2N-CH 30V 0.5A SOT363
