PJW1NA60_R2_00001
Číslo produktu výrobce:

PJW1NA60_R2_00001

Product Overview

Výrobce:

Panjit International Inc.

Číslo dílu:

PJW1NA60_R2_00001-DG

Popis:

600V N-CHANNEL MOSFET
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 300mA (Ta) 3.3W (Tc) Surface Mount SOT-223

Inventář:

12972384
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

PJW1NA60_R2_00001 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
PANJIT
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
300mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
14Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
3.3 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
95 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.3W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-223
Balení / pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základní číslo výrobku
PJW1NA60

Další informace

Standardní balíček
2,500
Další jména
3757-PJW1NA60_R2_00001TR
3757-PJW1NA60_R2_00001DKR
3757-PJW1NA60_R2_00001CT

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
STN1NK60Z
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2437
DiGi ČÍSLO DÍLU
STN1NK60Z-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.26
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

NVD4806NT4G-VF01

MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK

onsemi

NTPF600N80S3Z

SF3 800V 600MOHM TO-220F

onsemi

SC9611MX

MOSFET N-CH SMD

panjit

PJQ5494_R2_00001

150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE