PJX8603_R1_00001
Číslo produktu výrobce:

PJX8603_R1_00001

Product Overview

Výrobce:

Panjit International Inc.

Číslo dílu:

PJX8603_R1_00001-DG

Popis:

MOSFET N/P-CH 50V/60V SOT563
Podrobný popis:
Mosfet Array 50V, 60V 360mA (Ta), 200mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-563

Inventář:

6880 Ks Nový Originál Skladem
12973768
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

PJX8603_R1_00001 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
PANJIT
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
N and P-Channel Complementary
Funkce FET
-
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
50V, 60V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
360mA (Ta), 200mA (Ta)
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.5Ohm @ 500mA, 10V, 6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.95nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
36pF @ 25V, 51pF @ 25V
Výkon - Max
300mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-563, SOT-666
Balíček zařízení dodavatele
SOT-563
Základní číslo výrobku
PJX8603

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
4,000
Další jména
3757-PJX8603_R1_00001CT
3757-PJX8603_R1_00001TR
3757-PJX8603_R1_00001DKR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
panjit

PJX8804_R1_00001

MOSFET 2N-CH 30V 0.6A SOT563

microchip-technology

MSCSM120AM50CT1AG

SIC 2N-CH 1200V 55A SP1F

onsemi

FDG6332C-PG

MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88

infineon-technologies

FS55MR12W1M1HB11NPSA1

SIC 6N-CH 1200V 15A AG-EASY1B