Číslo produktu výrobce:
2SA812B-T1B-AT
Product Overview
Výrobce:
Renesas
Číslo dílu:
2SA812B-T1B-AT-DG
Popis:
2SA812B-T1B-AT - PNP SILICON EPI
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 100 mA 180MHz 200 mW Surface Mount 3-MINIMOLD
Inventář:
201000 Ks Nový Originál Skladem
12976870
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
2SA812B-T1B-AT Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Jednotlivé bipolární tranzistory
Výrobce
Renesas Electronics Corporation
Balení
Bulk
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ tranzistoru
PNP
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100 mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50 V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
100nA (ICBO)
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
90 @ 1mA, 6V
Výkon - Max
200 mW
Frekvence - přechod
180MHz
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Balíček zařízení dodavatele
3-MINIMOLD
Další informace
Standardní balíček
4,121
Další jména
2156-2SA812B-T1B-AT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikace
Související produkty
SBC847BLT1G-M01
SBC847 - TRANS BJTS NPN 45V
MJ15020
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 4A, 25
2SB1261(1)-AZ
2SB1261 - PNP SILICON EPITAXIAL
