Číslo produktu výrobce:
2SK1341-E
Product Overview
Výrobce:
Renesas Electronics Corporation
Číslo dílu:
2SK1341-E-DG
Popis:
MOSFET N-CH 900V 6A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 900 V 6A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventář:
12861393
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
2SK1341-E Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Renesas Electronics Corporation
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
900 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
3Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
980 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
100W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-3P
Balení / pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základní číslo výrobku
2SK1341
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXFH12N90P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1289
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFH12N90P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
5.21
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
UPA2754GR(0)-E1-AY
TRANSISTOR
NP100N04PUK-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 100A TO263
IRF7464
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO
