Číslo produktu výrobce:
NP80N055MHE-S18-AY
Product Overview
Výrobce:
Renesas Electronics Corporation
Číslo dílu:
NP80N055MHE-S18-AY-DG
Popis:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
12860198
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
NP80N055MHE-S18-AY Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Renesas Electronics Corporation
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
55 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
80A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
11mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3600 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1.8W (Ta), 120W (Tc)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Další informace
Standardní balíček
1
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STP80NF55-08
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
48
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP80NF55-08-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.25
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
ZSPM9000AI1R
MOSFET N-CH
NP22N055SLE-E1-AZ
TRANSISTOR
NTMFS5C410NLTT3G
MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
