Číslo produktu výrobce:
EMA3T2R
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
EMA3T2R-DG
Popis:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Inventář:
13523929
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
EMA3T2R Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové pole, předbiasované
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V
Rezistor - Báze (R1)
4.7kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
-
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
500nA (ICBO)
Frekvence - přechod
250MHz
Výkon - Max
150mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Balíček zařízení dodavatele
EMT5
Základní číslo výrobku
EMA3T2
Technický list a dokumenty
Dokumenty spolehlivosti
Zdroje návrhu
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
8,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
RN2710JE(TE85L,F)
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3611
DiGi ČÍSLO DÍLU
RN2710JE(TE85L,F)-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.05
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
EMD4T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
EMG8T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
EMB11FHAT2R
TRANS 2PNP 100MA EMT6
