Číslo produktu výrobce:
EMD12T2R
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
EMD12T2R-DG
Popis:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventář:
7400 Ks Nový Originál Skladem
13523583
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
EMD12T2R Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové pole, předbiasované
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V
Rezistor - Báze (R1)
47kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
47kOhms
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
500nA
Frekvence - přechod
250MHz
Výkon - Max
150mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-563, SOT-666
Balíček zařízení dodavatele
EMT6
Základní číslo výrobku
EMD12
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Dokumenty spolehlivosti
Zdroje návrhu
Další informace
Standardní balíček
8,000
Další jména
EMD12T2RDKR
EMD12T2RCT
EMD12T2RTR
EMD12T2R-ND
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
NSBC144EPDXV6T1G
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3990
DiGi ČÍSLO DÍLU
NSBC144EPDXV6T1G-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.05
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
PEMD12,115
VÝROBCE
NXP Semiconductors
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4633890
DiGi ČÍSLO DÍLU
PEMD12,115-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.06
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
IMD16AT108
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
IMD14T108
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
EMG6T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
