Číslo produktu výrobce:
EMD6FHAT2R
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
EMD6FHAT2R-DG
Popis:
PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventář:
13521004
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
EMD6FHAT2R Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové pole, předbiasované
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Not For New Designs
Typ tranzistoru
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V
Rezistor - Báze (R1)
4.7kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
-
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
500nA (ICBO)
Frekvence - přechod
250MHz
Výkon - Max
150mW
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-563, SOT-666
Balíček zařízení dodavatele
EMT6
Základní číslo výrobku
EMD6FHAT2
Další informace
Standardní balíček
8,000
Další jména
EMD6FHAT2RCT
EMD6FHAT2RDKR
EMD6FHAT2RTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
RN4990FE,LF(CT
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
RN4990FE,LF(CT-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.02
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
PEMD6,115
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4000
DiGi ČÍSLO DÍLU
PEMD6,115-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.06
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
RN1910FE,LF(CT
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4750
DiGi ČÍSLO DÍLU
RN1910FE,LF(CT-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.02
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
