EMG1T2R
Číslo produktu výrobce:

EMG1T2R

Product Overview

Výrobce:

Rohm Semiconductor

Číslo dílu:

EMG1T2R-DG

Popis:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5

Inventář:

5932 Ks Nový Originál Skladem
13522938
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
2npd
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

EMG1T2R Technické specifikace

Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové pole, předbiasované
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V
Rezistor - Báze (R1)
22kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
22kOhms
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
56 @ 5mA, 5V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
500nA
Frekvence - přechod
250MHz
Výkon - Max
150mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Balíček zařízení dodavatele
EMT5
Základní číslo výrobku
EMG1T2

Technický list a dokumenty

Dokumenty spolehlivosti
Zdroje návrhu
Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
8,000
Další jména
EMG1T2RCT
EMG1T2RDKR
EMG1T2RTR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
rohm-semi

EMB10T2R

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

rohm-semi

EMD29T2R

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6

rohm-semi

EMD2T2R

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

rohm-semi

EMA4T2R

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5