HP8KA1TB
Číslo produktu výrobce:

HP8KA1TB

Product Overview

Výrobce:

Rohm Semiconductor

Číslo dílu:

HP8KA1TB-DG

Popis:

MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
Podrobný popis:
Mosfet Array 30V 14A 3W Surface Mount 8-HSOP

Inventář:

2500 Ks Nový Originál Skladem
13524044
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

HP8KA1TB Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurace
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
14A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
5mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 10mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2550pF @ 15V
Výkon - Max
3W
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Balíček zařízení dodavatele
8-HSOP
Základní číslo výrobku
HP8KA1

Technický list a dokumenty

Další informace

Standardní balíček
2,500
Další jména
HP8KA1TBTR
HP8KA1TBDKR
HP8KA1TBCT

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
rohm-semi

HP8M31TB1

MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP

rohm-semi

BSM180D12P3C007

SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE

rohm-semi

QH8KA4TCR

MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8

rohm-semi

SP8J65TB1

MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP