Číslo produktu výrobce:
IMB1AT110
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
IMB1AT110-DG
Popis:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SMT6
Inventář:
13525895
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IMB1AT110 Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové pole, předbiasované
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Not For New Designs
Typ tranzistoru
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V
Rezistor - Báze (R1)
22kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
22kOhms
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
56 @ 5mA, 5V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
500nA
Frekvence - přechod
-
Výkon - Max
300mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SC-74, SOT-457
Balíček zařízení dodavatele
SMT6
Základní číslo výrobku
IMB1
Další informace
Standardní balíček
3,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
RN2603(TE85L,F)
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
6000
DiGi ČÍSLO DÍLU
RN2603(TE85L,F)-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.05
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
