IMB1AT110
Číslo produktu výrobce:

IMB1AT110

Product Overview

Výrobce:

Rohm Semiconductor

Číslo dílu:

IMB1AT110-DG

Popis:

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SMT6

Inventář:

13525895
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

IMB1AT110 Technické specifikace

Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové pole, předbiasované
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Not For New Designs
Typ tranzistoru
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V
Rezistor - Báze (R1)
22kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
22kOhms
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
56 @ 5mA, 5V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
500nA
Frekvence - přechod
-
Výkon - Max
300mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SC-74, SOT-457
Balíček zařízení dodavatele
SMT6
Základní číslo výrobku
IMB1

Další informace

Standardní balíček
3,000

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
RN2603(TE85L,F)
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
6000
DiGi ČÍSLO DÍLU
RN2603(TE85L,F)-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.05
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
rohm-semi

FMG1AT148

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

rohm-semi

IMD2AT108

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

rohm-semi

UMD9NTR

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

rohm-semi

FMA5AT148

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5