IMD6AT108
Číslo produktu výrobce:

IMD6AT108

Product Overview

Výrobce:

Rohm Semiconductor

Číslo dílu:

IMD6AT108-DG

Popis:

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6

Inventář:

4861 Ks Nový Originál Skladem
13080348
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

IMD6AT108 Technické specifikace

Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové pole, předbiasované
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Výrobce
Rohm Semiconductor
Řada
-
Balení
Tape & Reel (TR)
Stav dílu
Active
Typ tranzistoru
1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V
Rezistor - Báze (R1)
4.7kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
-
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
500nA (ICBO)
Frekvence - přechod
250MHz
Výkon - Max
300mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SC-74, SOT-457
Balíček zařízení dodavatele
SMT6
Základní číslo výrobku
IMD6

Technický list a dokumenty

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
IMD6AT108CT
846-IMD6AT108TR
IMD6AT108DKR
IMD6AT108TR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
rohm-semi

EMB3T2R

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

rohm-semi

UMG2NTR

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

rohm-semi

UMH1NTN

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

rohm-semi

UMH4NTN

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6