Číslo produktu výrobce:
IMH23T110
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
IMH23T110-DG
Popis:
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 20V 600mA 150MHz 300mW Surface Mount SMT6
Inventář:
1809 Ks Nový Originál Skladem
13525604
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IMH23T110 Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové pole, předbiasované
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Proud - sběrač (Ic) (Max)
600mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
20V
Rezistor - Báze (R1)
4.7kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
-
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
820 @ 50mA, 5V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 2.5mA, 50mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
-
Frekvence - přechod
150MHz
Výkon - Max
300mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SC-74, SOT-457
Balíček zařízení dodavatele
SMT6
Základní číslo výrobku
IMH23
Technický list a dokumenty
Dokumenty spolehlivosti
Zdroje návrhu
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
IMH23T110CT
IMH23T110-ND
IMH23T110TR
IMH23T110DKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
