Číslo produktu výrobce:
QS6U24TR
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
QS6U24TR-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 1A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Inventář:
11255 Ks Nový Originál Skladem
13527506
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
QS6U24TR Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
400mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
1.7 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
90 pF @ 10 V
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Ztrátový výkon (max.)
1.25W (Ta)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TSMT6 (SC-95)
Balení / pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Základní číslo výrobku
QS6U24
Technický list a dokumenty
Dokumenty spolehlivosti
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
QS6U24DKR
QS6U24CT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
R6012ANX
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
SCT2450KEC
SICFET N-CH 1200V 10A TO247
R6007KNJTL
MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
