Číslo produktu výrobce:
R6012JNJGTL
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
R6012JNJGTL-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 12A LPTS
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount LPTS
Inventář:
1800 Ks Nový Originál Skladem
13526116
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
R6012JNJGTL Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
12A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
15V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
390mOhm @ 6A, 15V
vgs(th) (max.) @ id
7V @ 2.5mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 15 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
900 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
160W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
LPTS
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
R6012
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
R6012JNJGTLDKR
R6012JNJGTLCT
R6012JNJGTLTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
R6030KNZ1C9
MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
RW1A013ZPT2R
MOSFET P-CH 12V 1.5A 6WEMT
R6004JNXC7G
MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM