Číslo produktu výrobce:
R6015ENJTL
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
R6015ENJTL-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS
Inventář:
4 Ks Nový Originál Skladem
13527387
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
R6015ENJTL Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
15A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
290mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
910 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
40W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
LPTS
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
R6015
Technický list a dokumenty
Zdroje návrhu
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
R6015ENJTLTR
R6015ENJTLCT
R6015ENJTLDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
TK14G65W,RQ
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3525
DiGi ČÍSLO DÍLU
TK14G65W,RQ-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.93
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STB25N80K5
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
630
DiGi ČÍSLO DÍLU
STB25N80K5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.75
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
RQ5E025SNTL
MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
RD3S100CNTL1
MOSFET N-CH 190V 10A TO252
RSR020P05FRATL
MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
