Číslo produktu výrobce:
R6015FNJTL
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
R6015FNJTL-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 255W (Tc) Surface Mount LPTS
Inventář:
980 Ks Nový Originál Skladem
13080457
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
R6015FNJTL Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
-
Řada
-
Balení
Tape & Reel (TR)
Stav dílu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
15A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
350mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1660 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
255W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
LPTS
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
R6015
Technický list a dokumenty
Dokumenty spolehlivosti
Zdroje návrhu
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
R6015FNJTLTR
R6015FNJTLCT
846-R6015FNJTLTR
R6015FNJTLDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
R6018JNJGTL
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
626
DiGi ČÍSLO DÍLU
R6018JNJGTL-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.76
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
RS1E300GNTB
MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP
RUR040N02HZGTL
MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
RTR030P02HZGTL
MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3
