Číslo produktu výrobce:
R6018JNXC7G
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
R6018JNXC7G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 18A TO220FM
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventář:
3154 Ks Nový Originál Skladem
13526177
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
R6018JNXC7G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
18A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
15V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
286mOhm @ 9A, 15V
vgs(th) (max.) @ id
7V @ 4.2mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 15 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
72W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220FM
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
R6018
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
50
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
RF4C050APTR
MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
RRL025P03FRATR
MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
RD3P08BBDTL
MOSFET N-CH 100V 80A TO252
