Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
DR Kongo
Argentina
Turecko
Rumunsko
Litva
Norsko
Rakousko
Angola
Slovensko
LTALY
Finsko
Bělorusko
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Černá Hora
Ruština
Belgie
Švédsko
Srbsko
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Moldavsko
Německo
Nizozemsko
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
Francie
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Portugalsko
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Španělsko
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
R6020ENZ1C9
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
R6020ENZ1C9-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
Inventář:
Poptejte online
13527199
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
R6020ENZ1C9 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
20A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
196mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
120W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247
Balení / pouzdro
TO-247-3
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
R6020ENZ1C9
Další informace
Standardní balíček
450
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXFH42N60P3
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFH42N60P3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
4.39
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
APT34M60B
VÝROBCE
Microchip Technology
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
APT34M60B-DG
CENY ZA JEDNOTKU
11.84
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPW65R190C7XKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
220
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPW65R190C7XKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.69
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
TK20N60W,S1VF
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
15
DiGi ČÍSLO DÍLU
TK20N60W,S1VF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.83
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STW28N60M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
96
DiGi ČÍSLO DÍLU
STW28N60M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.56
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
RD3L150SNTL1
MOSFET N-CH 60V 15A TO252
RQ3E080BNTB
MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
RSS075P03FU6TB
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP
RSS120N03FU6TB
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP