Číslo produktu výrobce:
R6020KNZ4C13
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
R6020KNZ4C13-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-247
Inventář:
422 Ks Nový Originál Skladem
12850954
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
R6020KNZ4C13 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
20A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
196mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1550 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
231W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
R6020
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
846-R6020KNZ4C13
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FDFME2P823ZT
MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
FDD2570
MOSFET N-CH 150V 4.7A TO252
FQB9N50CFTM
MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK