Číslo produktu výrobce:
R6030KNX
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
R6030KNX-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 86W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventář:
500 Ks Nový Originál Skladem
13526825
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
R6030KNX Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Bulk
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
30A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
130mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2350 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
86W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220FM
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
R6030
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
500
Další jména
R6030KNXTR
R6030KNXDKRINACTIVE
R6030KNXDKR
R6030KNXCT
R6030KNXCTINACTIVE
R6030KNXDKR-ND
R6030KNXTR-ND
R6030KNXCT-ND
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
RS3L045GNGZETB
MOSFET N-CH 60V 4.5A 8SOP
R8008ANX
MOSFET N-CH 800V 8A TO220FM
R5011ANJTL
MOSFET N-CH 500V 11A LPTS
