Číslo produktu výrobce:
R8008ANJFRGTL
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
R8008ANJFRGTL-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 8A LPTS
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 195W (Tc) Surface Mount LPTS
Inventář:
13527082
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
R8008ANJFRGTL Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
800 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
8A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.03Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
195W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
LPTS
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
R8008
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
R8008ANJFRGTLDKR
R8008ANJFRGTLCT
R8008ANJFRGTLTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
R8008ANJGTL
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
921
DiGi ČÍSLO DÍLU
R8008ANJGTL-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.54
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
RSC002P03T316
MOSFET P-CH 30V 250MA SST3
RD3T100CNTL1
MOSFET N-CH 200V 10A TO252
RDD022N60TL
MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
