Číslo produktu výrobce:
R8009KNXC7G
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
R8009KNXC7G-DG
Popis:
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 9A (Ta) 59W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventář:
1871 Ks Nový Originál Skladem
12996459
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
R8009KNXC7G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
800 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
600mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 5mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
900 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
59W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220FM
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
R8009
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
846-R8009KNXC7GDKR
846-R8009KNXC7GTR
846-R8009KNXC7GDKRINACTIVE
846-R8009KNXC7GCT
846-R8009KNXC7GDKR-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IPL65R1K5C6SE8211ATMA1
IPL65R1K5 - 650V AND 700V COOLMO
SCH1331-TL-W
POWER MOSFET
ECH8607-TL-E
N-CHANNEL SILICON MOSFET
