Číslo produktu výrobce:
RCD080N25TL
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
RCD080N25TL-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 8A CPT3
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 8A (Ta) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Inventář:
5359 Ks Nový Originál Skladem
13524229
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
RCD080N25TL Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
250 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
8A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
300mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1440 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
850mW (Ta), 20W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
CPT3
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
RCD080
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
RCD080N25TLCT
RCD080N25TLTR
RCD080N25TLDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
R6020KNZ1C9
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
RCD040N25TL
MOSFET N-CH 250V 4A CPT3
RQ1C065UNTR
MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
