Číslo produktu výrobce:
RCX120N20
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
RCX120N20-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 12A TO220FM
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 12A (Tc) 2.23W (Ta), 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventář:
13526394
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
RCX120N20 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Bulk
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
12A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
325mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.25V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
740 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.23W (Ta), 40W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220FM
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
RCX120
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Dokumenty spolehlivosti
Další informace
Standardní balíček
500
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRLI630GPBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
991
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRLI630GPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.08
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRFI630GPBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1686
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFI630GPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.16
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
RU1C001UNTCL
MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F
RK7002AT116
MOSFET N-CH 60V 300MA SST3
RQ7E055ATTCR
MOSFET P-CH 30V 5.5A TSMT8
