Číslo produktu výrobce:
RD3G400GNTL
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
RD3G400GNTL-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 40A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 40A (Tc) 26W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventář:
14837 Ks Nový Originál Skladem
13526534
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
RD3G400GNTL Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
40A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
7.5mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1410 pF @ 20 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
26W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
RD3G400
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
RD3G400GNTLTR
RD3G400GNTLCT
RD3G400GNTLDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
R6004CNDTL
MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
RQ6L020SPTCR
MOSFET P-CH 60V 2A TSMT6
RCJ120N20TL
MOSFET N-CH 200V 12A LPTS
