Číslo produktu výrobce:
RD3P200SNTL1
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
RD3P200SNTL1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 20A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventář:
5845 Ks Nový Originál Skladem
13527268
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
RD3P200SNTL1 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
20A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
46mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2100 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
20W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
RD3P200
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
RD3P200SNTL1TR
RD3P200SNTL1CT
RD3P200SNTL1DKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SCH2080KEC
SICFET N-CH 1200V 40A TO247
RQ3E150GNTB
MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
RS1E200GNTB
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP