Číslo produktu výrobce:
RF4E110BNTR
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
RF4E110BNTR-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 11A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8
Inventář:
966 Ks Nový Originál Skladem
13525346
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
RF4E110BNTR Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
11A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
11.1mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2W (Ta)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
HUML2020L8
Balení / pouzdro
8-PowerUDFN
Základní číslo výrobku
RF4E110
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
RF4E110BNTRDKR
RF4E110BNTRTR
RF4E110BNTRCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
PMPB13XNE,115
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
22326
DiGi ČÍSLO DÍLU
PMPB13XNE,115-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.11
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
RQ1A070ZPTR
MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
RSD175N10TL
MOSFET N-CH 100V 17.5A CPT3
RCX100N25
MOSFET N-CH 250V 10A TO220FM
