Číslo produktu výrobce:
RF6C055BCTCR
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
RF6C055BCTCR-DG
Popis:
MOSFET P-CHANNEL 20V 5.5A TUMT6
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 5.5A (Ta) 1W (Tc) Surface Mount TUMT6
Inventář:
2985 Ks Nový Originál Skladem
13524867
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
RF6C055BCTCR Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
20 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
25.8mOhm @ 5.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
15.2 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1080 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TUMT6
Balení / pouzdro
6-SMD, Flat Leads
Základní číslo výrobku
RF6C055
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
RF6C055BCTCRDKR
RF6C055BCTCRCT
RF6C055BCTCRTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
RF4C100BCTCR
MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
RQ5E065AJTCL
MOSFET N-CH 30V 6.5A TSMT3
RF4E080GNTR
MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8