Číslo produktu výrobce:
RP1E090RPTR
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
RP1E090RPTR-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 9A MPT6
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6
Inventář:
13524359
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
RP1E090RPTR Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
16.9mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2W (Ta)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
MPT6
Balení / pouzdro
6-SMD, Flat Leads
Základní číslo výrobku
RP1E090
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1,000
Další jména
RP1E090RPDKR
RP1E090RPCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
RRH090P03TB1
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2400
DiGi ČÍSLO DÍLU
RRH090P03TB1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.55
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
SI4431CDY-T1-GE3
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
65416
DiGi ČÍSLO DÍLU
SI4431CDY-T1-GE3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.22
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
RU1C002ZPTCL
MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
R5009FNX
MOSFET N-CH 500V 9A TO220FM
RT1A060APTR
MOSFET P-CH 12V 6A 8TSST
