Číslo produktu výrobce:
RQ3E070BNTB
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
RQ3E070BNTB-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventář:
6697 Ks Nový Originál Skladem
13525893
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
RQ3E070BNTB Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
7A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
27mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.9 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
410 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2W (Ta)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-HSMT (3.2x3)
Balení / pouzdro
8-PowerVDFN
Základní číslo výrobku
RQ3E070
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
RQ3E070BNTBDKR
RQ3E070BNTBCT
RQ3E070BNTBTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
R6020ANJTL
MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
RD3L080SNTL1
MOSFET N-CH 60V 8A TO252
R6004ENJTL
MOSFET N-CH 600V 4A LPTS