Číslo produktu výrobce:
RQ6E030SPTR
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
RQ6E030SPTR-DG
Popis:
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Podrobný popis:
P-Channel 30 V 3A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Inventář:
2337 Ks Nový Originál Skladem
13526610
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
RQ6E030SPTR Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
3A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
80mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
440 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
950mW (Ta)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TSMT6 (SC-95)
Balení / pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Základní číslo výrobku
RQ6E030
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
RQ6E030SPCT
RQ6E030SPDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
PMN50EPEX
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2970
DiGi ČÍSLO DÍLU
PMN50EPEX-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.14
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
RRQ030P03TR
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
RSH065N06GZETB
MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP
RUC002N05HZGT116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
