Číslo produktu výrobce:
RS1E170GNTB
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
RS1E170GNTB-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 17A (Ta), 40A (Tc) 3W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventář:
1959 Ks Nový Originál Skladem
13080530
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
RS1E170GNTB Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Balení
Tape & Reel (TR)
Stav dílu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
17A (Ta), 40A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
6.7mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
720 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3W (Ta), 23W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-HSOP
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
RS1E
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
846-RS1E170GNTR
846-RS1E170GNTBCT
RS1E170GNTBTR
RS1E170GNTBDKR
RS1E170GNTBCT
846-RS1E170GNTBDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
RSR020N06HZGTL
MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
RSQ035N06HZGTR
MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT6
CMS25N03V8-HF
MOSFET N-CH 30V 25A 8DFN