Číslo produktu výrobce:
RS1G150MNTB
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
RS1G150MNTB-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 15A (Ta), 43A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventář:
13525767
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
RS1G150MNTB Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
15A (Ta), 43A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
10.6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
930 pF @ 20 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3W (Ta), 25W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-HSOP
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
RS1G
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
RS1G150MNTBDKR
RS1G150MNTBCT
RS1G150MNTBTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
RS1E260ATTB1
MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP
RUM002N02T2L
MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
RZR020P01TL
MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
