Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
RS1G180MNTB
Product Overview
Výrobce:
Rohm Semiconductor
Číslo dílu:
RS1G180MNTB-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 18A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventář:
2232 Ks Nový Originál Skladem
13525376
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
RS1G180MNTB Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
ROHM Semiconductor
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
18A (Ta), 80A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
7mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
19.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1293 pF @ 20 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3W (Ta), 30W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-HSOP
Balení / pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo výrobku
RS1G
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
RS1G180MN
HSMT8 TB Taping Spec
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
846-RS1G180MNCT
RS1G180MNTB-ND
846-RS1G180MNDKR
846-RS1G180MNTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
CSD18503Q5A
VÝROBCE
Texas Instruments
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4931
DiGi ČÍSLO DÍLU
CSD18503Q5A-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.54
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
BSC059N04LSGATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
44864
DiGi ČÍSLO DÍLU
BSC059N04LSGATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.28
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IPC50N04S55R8ATMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4727
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPC50N04S55R8ATMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.33
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
DMTH4007SPS-13
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMTH4007SPS-13-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.37
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
RUQ050N02TR
MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
RQ5E030RPTL
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
RD3U080CNTL1
MOSFET N-CH 250V 8A TO252
RQ3E100BNTB
MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT